回收提拉式单晶炉+卢湾控制柜回收的电话

提拉式单晶炉卢湾控制柜的电话观察窗 抽真空管道 组成/炉筒：包括取光孔下炉筒：包括抽真空管道/底座机架：全铸铁机架和底座/坩埚下传动装置：主要由磁流体 电机 坩埚支撑轴 减速机 软波纹管 立柱 上下传动支撑架 导轨 等部件组成/分水器已经水路布置：包括分水器，进水水管。翻板阀单晶炉构成编辑=提拉头：主要由盘 减速机 籽晶腔 划线环 电机 磁流体 籽晶称重头 软波纹管等其他部件组成/副室：主要是副室筒以及上下法兰组成/ 炉盖：副室连接法兰若干胶管 水管卡套等/氩气管道布置：质量流量计 3根以上的柔性管 不锈钢管 3个压力探测器 高密封性卡套 等部件/真空泵以及真空除尘装置：油压真空泵 水环真空泵 过滤器 真空管道 硬波纹管等/电源以及电控柜：电源柜 滤波柜 控制柜 以及连接线。支撑柱在炉体支撑的上面，便于下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。全自动控制系统采用模块化设计。便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计单晶硅生长炉的特点HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动维护方便高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用，即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的控制。质量流量计控制氩气流量。后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度。

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这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。通过石墨加热器产生的高温将其熔化，然后，对熔化的硅液稍降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长，接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右，直径为3～5mm的细颈，用于高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶，随后。把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚单晶硅生长炉的原理简介/我有更好的/首先放大晶体直径到工艺要求的大小。直拉法，也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以低电阻率单晶。其包括氩气输入管，与氩气输入管相连通的环形气体分布器，其特征在于经氩气输入管输入的氩气气压为0.8×10³Pa0.9×10³Pa，氩气流量为30L/min。还包括设于坩埚支持器下方和排气口之间的碗形气流导向装置，其包括中轴孔，一对电极孔，以及与排气口相对的通气孔，石墨中轴穿过所述气流导向装置的中轴孔。本发明了一种直拉式单晶生长炉全文摘要为减少直拉式单晶生长炉的氩气消耗的技术问题所述电极柱分别穿过所述电极孔，排气口与气流导向装置的各通气孔相连通，气流导向装置的上端部设于保温筒与发热体之间。